Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Защита от ЭСР
Да
Напряжение ограничения (VC)
12V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
10A
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
10μA
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Матрица TVS диодов
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
6V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
SOIC
Число контактов
8
Рассеяние пиковой импульсной мощности (Pppm)
500W
Защита от ЭСР
Да
Напряжение ограничения (VC)
12V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
10A
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
150°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
4 mm
Материал каски/сварочной маски
1.5мм
Длина
5мм
Автомобильный стандарт
Нет
Максимальный обратный ток утечки
10μA
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре