ON Semiconductor RFP70N06 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
70A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
14mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
120nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.83 mm
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Информация о наличии не успела загрузиться
тг 697,32
тг 697,32 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 697,32
тг 697,32 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 24 | тг 697,32 |
| 25 - 99 | тг 545,34 |
| 100 - 249 | тг 442,53 |
| 250 - 499 | тг 433,59 |
| 500+ | тг 397,83 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
МОП-транзистор
Тип канала
Тип N
Максимальный непрерывный ток стока (Id)
70A
Максимальное напряжение сток-исток (Vds)
60V
Корпус
TO-220
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток (Rds)
14mΩ
Номер канала
Поднятие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
150W
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)
20 V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Типичный заряд затвора (Qg) при Vgs
120nC
Прямое напряжение (Vf)
1.1V
Максимальная рабочая температура
175°C
Ширина
4.83 mm
Материал каски/сварочной маски
9.4мм
Длина
10.67мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.