N-Channel MOSFET, 109 A, 60 V, 8-Pin WDFN onsemi NVTFS5C658NL

Код товара RS: 141-3554Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVTFS5C658NLTAG
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

109 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

3.15мм

Высота

0.75мм

Серия

NVTFS5C658NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 109 A, 60 V, 8-Pin WDFN onsemi NVTFS5C658NL
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 109 A, 60 V, 8-Pin WDFN onsemi NVTFS5C658NL
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

109 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

114 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

27 нКл при 10 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

3.15мм

Высота

0.75мм

Серия

NVTFS5C658NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor