ON Semiconductor NVMFS5A160PLZWFT1G MOSFET

Код товара RS: 178-4397Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVMFS5A160PLZWFT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

7,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NVMFS5A160PLZWFT1G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NVMFS5A160PLZWFT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

100 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

7,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Ширина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

160 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.5V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia