ON Semiconductor NVMFD5C478NLT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

29 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

23 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8,1 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia