N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C684NL

Код товара RS: 141-7228Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVD5C684NLT4G
brand-logo
View all in МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,6 нКл при 10 В

Высота

2.38мм

Серия

NVD5C684NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C684NL
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NVD5C684NL
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

38 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

24,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

27 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,6 нКл при 10 В

Высота

2.38мм

Серия

NVD5C684NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor