ON Semiconductor NVD5C464NT4G MOSFET

Код товара RS: 172-3318Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NVD5C464NT4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NVD5C464N

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

2.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

P.O.A.

ON Semiconductor NVD5C464NT4G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NVD5C464NT4G MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Серия

NVD5C464N

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

5,8 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

20 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

6.22мм

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

2.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C