Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
163 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80,6 нКл при 10 В
Высота
2.38мм
Серия
NVD5C434N
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
163 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,1 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
117 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Ширина
6.22мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
80,6 нКл при 10 В
Высота
2.38мм
Серия
NVD5C434N
Прямое напряжение диода
1.2V
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре