ON Semiconductor NVD5C434NT4G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

163 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

2,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

117 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

80,6 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Серия

NVD5C434N

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

2.38мм