Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
950 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
240 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,6 нКл при 4,5 В
Высота
0.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
950 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-563
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
240 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
5,6 нКл при 4,5 В
Высота
0.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
