ON Semiconductor NTUD3169CZT5G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА, 280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-963
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4.5 Ω, 10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.05мм
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.4мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 25 - 25 | P.O.A. |
| 50 - 100 | P.O.A. |
| 125 - 225 | P.O.A. |
| 250 - 475 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N, P
Максимальный непрерывный ток стока
250 мА, 280 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-963
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
4.5 Ω, 10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
1.05мм
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.4мм
Информация о товаре
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.