ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

68 А

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

9,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

107 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Длина

3.15мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,6 нКл при 10 В

Ширина

3.15мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Malaysia