onsemi N-Channel MOSFET, 700 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 NTS4409NT1G

Код товара RS: 780-4770Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTS4409NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 25V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 2 793,75

тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 700 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 NTS4409NT1G
Select packaging type

тг 2 793,75

тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 700 mA, 25 V, 3-Pin SOT-23 NTS4409NT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 111,75тг 2 793,75
50 - 100тг 111,75тг 2 793,75
125 - 225тг 53,64тг 1 341,00
250 - 475тг 53,64тг 1 341,00
500+тг 53,64тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

700 мА

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

400 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Количество элементов на ИС

1

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,2 нКл при 4,5 В

Ширина

1.35мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

0.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 25V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor