Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,2 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 25V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 793,75
тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 793,75
тг 111,75 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
| 50 - 100 | тг 111,75 | тг 2 793,75 |
| 125 - 225 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 250 - 475 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 500+ | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
700 мА
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
400 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,2 нКл при 4,5 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
0.9мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
