Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2.2 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
155 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
5,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 682,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 682,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 25 | тг 107,28 | тг 2 682,00 |
50 - 100 | тг 107,28 | тг 2 682,00 |
125 - 475 | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
500 - 1225 | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
1250+ | тг 40,23 | тг 1 005,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
2.2 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
155 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Типичный заряд затвора при Vgs
5,1 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.04мм
Высота
1.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре