onsemi N-Channel MOSFET, 2.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 NTR5198NLT1G

Код товара RS: 796-1381Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR5198NLT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

155 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

5,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 2 682,00

тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 2.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 NTR5198NLT1G
Select packaging type

тг 2 682,00

тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 2.2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 NTR5198NLT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 107,28тг 2 682,00
50 - 100тг 107,28тг 2 682,00
125 - 475тг 49,17тг 1 229,25
500 - 1225тг 49,17тг 1 229,25
1250+тг 40,23тг 1 005,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2.2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

155 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

900 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Типичный заряд затвора при Vgs

5,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor