ON Semiconductor NTR5103NT1G MOSFET

Код товара RS: 184-1068Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR5103NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

260 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.9V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0.81 nC @ 5 V

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NTR5103NT1G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NTR5103NT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

260 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.6V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.9V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0.81 nC @ 5 V

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

China