N-Channel MOSFET, 3.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR4501NT1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
2,4 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 198 | P.O.A. |
| 200 - 498 | P.O.A. |
| 500 - 998 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
3,2 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
1,25 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
2,4 нКл при 4,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре