ON Semiconductor NTR4170NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,4 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

480 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

1.4мм

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

4.76 nC @ 4.5 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.01мм

Страна происхождения

China