ON Semiconductor NTR3C21NZT1G MOSFET

Код товара RS: 184-1066Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR3C21NZT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное рассеяние мощности

470 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17.8 nC @ 4.5 V

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NTR3C21NZT1G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NTR3C21NZT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,6 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

55 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное рассеяние мощности

470 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 V

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17.8 nC @ 4.5 V

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

1

Прямое напряжение диода

1V

Высота

1.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China