onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Код товара RS: 790-5274Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTR2101PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 3 576,00

тг 71,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G
Select packaging type

тг 3 576,00

тг 71,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
50 - 50тг 71,52тг 3 576,00
100 - 200тг 53,64тг 2 682,00
250 - 450тг 49,17тг 2 458,50
500 - 950тг 44,70тг 2 235,00
1000+тг 35,76тг 1 788,00
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное напряжение сток-исток

8 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.04мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.01мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Вас может заинтересовать