Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 3 576,00
тг 71,52 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
50 - 50 | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
100 - 200 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
250 - 450 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
500 - 950 | тг 44,70 | тг 2 235,00 |
1000+ | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
3,7 А
Максимальное напряжение сток-исток
8 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
960 mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Количество элементов на ИС
1
Материал транзистора
Кремний
Длина
3.04мм
Типичный заряд затвора при Vgs
12 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.4мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.01мм
Информация о товаре