P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 onsemi NTR1P02G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,5 нКл при 5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 2 - 48 | P.O.A. |
| 50 - 198 | P.O.A. |
| 200 - 498 | P.O.A. |
| 500 - 998 | P.O.A. |
| 1000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
180 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.3V
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.3мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.9мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,5 нКл при 5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре