Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
188 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 5 364,00
тг 1 072,80 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 5 364,00
тг 1 072,80 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 1 072,80 | тг 5 364,00 |
25 - 45 | тг 880,59 | тг 4 402,95 |
50 - 95 | тг 862,71 | тг 4 313,55 |
100 - 245 | тг 791,19 | тг 3 955,95 |
250+ | тг 710,73 | тг 3 553,65 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
76 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
13 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
188 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
15.75мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре