onsemi N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220 NTP6410ANG

Код товара RS: 802-4105Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTP6410ANG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

188 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

15.75мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.28мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 364,00

тг 1 072,80 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220 NTP6410ANG
Select packaging type

тг 5 364,00

тг 1 072,80 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 76 A, 100 V, 3-Pin TO-220 NTP6410ANG
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 1 072,80тг 5 364,00
25 - 45тг 880,59тг 4 402,95
50 - 95тг 862,71тг 4 313,55
100 - 245тг 791,19тг 3 955,95
250+тг 710,73тг 3 553,65

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

13 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

188 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

15.75мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.28мм

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

4.82мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor