P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G

Код товара RS: 780-4736Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTP2955G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

196 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

62,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.28мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.28мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 335,25

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G
Select packaging type

тг 335,25

Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

P-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-220 onsemi NTP2955G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 5тг 335,25тг 1 676,25
10 - 20тг 281,61тг 1 408,05
25 - 45тг 272,67тг 1 363,35
50 - 95тг 268,20тг 1 341,00
100+тг 214,56тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

196 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Максимальное рассеяние мощности

62,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

10.28мм

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 10 В

Ширина

4.82мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Высота

9.28мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor