Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
196 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
62,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
9.28мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 335,25
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 335,25
Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 5 | тг 335,25 | тг 1 676,25 |
10 - 20 | тг 281,61 | тг 1 408,05 |
25 - 45 | тг 272,67 | тг 1 363,35 |
50 - 95 | тг 268,20 | тг 1 341,00 |
100+ | тг 214,56 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
196 мОм
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Максимальное рассеяние мощности
62,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
10.28мм
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 10 В
Ширина
4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Высота
9.28мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре