onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG

Код товара RS: 195-2528Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMYS014N06CLTWG
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

36 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

21,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

37 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.25мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.15мм

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG

P.O.A.

onsemi N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 NTMYS014N06CLTWG
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

36 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

LFPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Максимальное сопротивление сток-исток

21,5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

37 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

4.25мм

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

9,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.15мм