N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi NTMS4816NG
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,04 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 966,80
тг 196,68 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 966,80
тг 196,68 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 196,68 | тг 1 966,80 |
| 20 - 40 | тг 192,21 | тг 1 922,10 |
| 50 - 90 | тг 187,74 | тг 1 877,40 |
| 100 - 190 | тг 125,16 | тг 1 251,60 |
| 200+ | тг 120,69 | тг 1 206,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
16 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2,04 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
9,2 нКл при 4,5 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.5мм
Информация о товаре