ON Semiconductor NTMFS5C682NLT1G MOSFET

Код товара RS: 171-8347Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMFS5C682NLT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

31,5 MO

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

5 нКл при 10 В

Длина

6.1мм

Высота

1.05мм

Серия

NTMFS5C682NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NTMFS5C682NLT1G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NTMFS5C682NLT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

5

Максимальное сопротивление сток-исток

31,5 MO

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

28 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

5 нКл при 10 В

Длина

6.1мм

Высота

1.05мм

Серия

NTMFS5C682NL

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V