onsemi N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C646NLT1G

Код товара RS: 842-7933PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMFS5C646NLT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SO-8FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

66 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C646NLT1G
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 89 A, 60 V, 8-Pin SO-8FL NTMFS5C646NLT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

89 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SO-8FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

6,3 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

66 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

33,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.05мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor