Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
89 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SO-8FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.05мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
89 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SO-8FL
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
6,3 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
66 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
5.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
33,7 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.05мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре