onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G

Код товара RS: 170-3399Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMFS5C430NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

185 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Серия

NTMFS5C430N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

106 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.1мм

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G

P.O.A.

onsemi NTMFS5C430N N-Channel MOSFET, 185 A, 40 V, 4 + Tab-Pin DFN NTMFS5C430NT1G
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

185 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Серия

NTMFS5C430N

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

1,7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

106 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.1мм

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

47 нКл при 10 В

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor