Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
185 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DFN
Серия
NTMFS5C430N
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
106 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.1мм
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.05мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
185 A
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Тип корпуса
DFN
Серия
NTMFS5C430N
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
4 + Tab
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
106 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Количество элементов на ИС
1
Ширина
5.1мм
Длина
6.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
47 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Прямое напряжение диода
1.2V
Высота
1.05мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре