ON Semiconductor NTMFS5C410NT1G MOSFET

Код товара RS: 126-3472Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMFS5C410NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

920 мкОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

86 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

NTMFS5C410N

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NTMFS5C410NT1G MOSFET
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor NTMFS5C410NT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 A

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4 + Tab

Максимальное сопротивление сток-исток

920 мкОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

166 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.1мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

86 нКл при 10 В

Высота

1.05мм

Серия

NTMFS5C410N

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor