ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

59 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SO-8FL

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

11,6 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

41,7 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

11,3 нКл при 4,5 В, 24,4 нКл при 11,5 В

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

1

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia