ON Semiconductor NTMFD5C674NLT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

42 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

14,4 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.2V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

37 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

4,7 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Количество элементов на ИС

2

Ширина

6.1мм

Длина

5.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

1.05мм

Страна происхождения

Malaysia