Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 1 698,60
тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 10 - 10 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 20 - 40 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 50 - 90 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
| 100 - 190 | тг 111,75 | тг 1 117,50 |
| 200+ | тг 107,28 | тг 1 072,80 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
80 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Типичный заряд затвора при Vgs
8 нКл при 10 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.5мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
