onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

Код товара RS: 780-0674Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTMD4N03R2G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В пост. тока

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G
Select packaging type

тг 1 698,60

тг 169,86 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 169,86тг 1 698,60
20 - 40тг 169,86тг 1 698,60
50 - 90тг 169,86тг 1 698,60
100 - 190тг 111,75тг 1 117,50
200+тг 107,28тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В пост. тока

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor