ON Semiconductor NTMD4N03R2G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

8 нКл при 10 В пост. тока

Высота

1.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Philippines