onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin WDFN NTLJD4116NT1G

Код товара RS: 790-5268Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTLJD4116NT1G
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Ширина

2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 1 385,70

тг 138,57 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin WDFN NTLJD4116NT1G
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 385,70
20тг 2 145,60
30тг 3 218,40
40тг 4 291,20
50тг 4 693,50
60тг 5 632,20
70тг 6 570,90
80тг 7 509,60
90тг 8 448,30
100тг 8 493,00
110тг 9 342,30
120тг 10 191,60
130тг 11 040,90
140тг 11 890,20
150тг 12 739,50

тг 1 385,70

тг 138,57 Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 2.5 A, 30 V, 6-Pin WDFN NTLJD4116NT1G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 385,70
20тг 2 145,60
30тг 3 218,40
40тг 4 291,20
50тг 4 693,50
60тг 5 632,20
70тг 6 570,90
80тг 7 509,60
90тг 8 448,30
100тг 8 493,00
110тг 9 342,30
120тг 10 191,60
130тг 11 040,90
140тг 11 890,20
150тг 12 739,50

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Лента
10 - 10тг 138,57тг 1 385,70
20 - 40тг 107,28тг 1 072,80
50 - 90тг 93,87тг 938,70
100 - 190тг 84,93тг 849,30
200+тг 80,46тг 804,60

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,3 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,4 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Ширина

2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.75мм

Информация о товаре

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor