ON Semiconductor NTLJD4116NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

2,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

WDFN

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,3 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

2мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,4 нКл при 4,5 В

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia