Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
870 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
550 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.25мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
870 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
2,2 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
550 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-6 В, +6 В
Ширина
0.85мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.25мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.55мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
