onsemi Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
266 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 894,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 894,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 17,88 | тг 894,00 |
| 100 - 200 | тг 13,41 | тг 670,50 |
| 250 - 450 | тг 13,41 | тг 670,50 |
| 500 - 950 | тг 13,41 | тг 670,50 |
| 1000+ | тг 13,41 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
300 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
2,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
266 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
0,9 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре