ON Semiconductor NTJD5121NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

300 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

2,5 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

266 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.35мм

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

2.2мм

Типичный заряд затвора при Vgs

0,9 нКл при 4,5 В

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C