Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
880 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,2 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
880 мА
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
1 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.2V
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Ширина
1.35мм
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Материал транзистора
Кремний
Длина
2.2мм
Типичный заряд затвора при Vgs
2,2 нКл при 4,5 В
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре