ON Semiconductor NTHD4508NT1G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

ChipFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

115 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,6 нКл при 4,5 В

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Malaysia