Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 120,69
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 120,69
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
25 - 25 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
50 - 100 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
125 - 225 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
250 - 475 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
500+ | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
4,1 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
ChipFET
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
170 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1.5V
Максимальное рассеяние мощности
2,1 Вт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,6 нКл при 4,5 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.1мм
Информация о товаре