onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 6-Pin TSOP-6 NTGS5120PT1G

Код товара RS: 780-0579PБренд: onsemiПарт-номер производителя: NTGS5120PT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

142 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 6-Pin TSOP-6 NTGS5120PT1G
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V, 6-Pin TSOP-6 NTGS5120PT1G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

TSOP-6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

142 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

1.7мм

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor