onsemi P-Channel MOSFET, 8.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-223 NTF6P02T3G
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
8,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 2 682,00
тг 134,10 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 682,00
тг 134,10 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 20 | тг 134,10 | тг 2 682,00 |
| 40 - 80 | тг 134,10 | тг 2 682,00 |
| 100 - 180 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 200 - 480 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 500+ | тг 125,16 | тг 2 503,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8,4 A
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
1V
Максимальное рассеяние мощности
8,3 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре