onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NTF5P03T3G

Код товара RS: 802-1478Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTF5P03T3G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

тг 5 252,25

тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NTF5P03T3G
Select packaging type

тг 5 252,25

тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi P-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-223 NTF5P03T3G

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 25тг 210,09тг 5 252,25
50 - 75тг 205,62тг 5 140,50
100 - 225тг 138,57тг 3 464,25
250 - 475тг 134,10тг 3 352,50
500+тг 134,10тг 3 352,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

150 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

3,13 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

1.65мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor