Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 5 252,25
тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 5 252,25
тг 210,09 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 210,09 | тг 5 252,25 |
| 50 - 75 | тг 205,62 | тг 5 140,50 |
| 100 - 225 | тг 138,57 | тг 3 464,25 |
| 250 - 475 | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
| 500+ | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
2,9 А
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
150 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3V
Максимальное рассеяние мощности
3,13 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.7мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.65мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
