ON Semiconductor NTE4153NT1G MOSFET

Код товара RS: 184-1063Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTE4153NT1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

915 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±6 V

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,82 нКл при 4,5 В

Ширина

0.95мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor NTE4153NT1G MOSFET

P.O.A.

ON Semiconductor NTE4153NT1G MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

915 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.45V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±6 V

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,82 нКл при 4,5 В

Ширина

0.95мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.1V