ON Semiconductor NTE4151PT1G MOSFET

Brand

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

760 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Ширина

0.95мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

1.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

2,1 нКл при 5 В

Высота

0.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China