ON Semiconductor NTD5C648NLT4G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

91 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

4,1 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

76 W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

17 нКл при 4,5

Высота

2.25мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.2V

Страна происхождения

Vietnam