onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD5867NLT4G

Код товара RS: 719-2901Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NTD5867NLT4G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 206,90

тг 241,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD5867NLT4G
Select packaging type

тг 1 206,90

тг 241,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK NTD5867NLT4G
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 241,38тг 1 206,90
50 - 120тг 174,33тг 871,65
125 - 245тг 116,22тг 581,10
250 - 495тг 111,75тг 558,75
500+тг 111,75тг 558,75

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Ширина

6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.73мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor