N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 3-Pin DPAK onsemi NTD5867NLG
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
50 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 5 - 45 | P.O.A. |
| 50 - 120 | P.O.A. |
| 125 - 245 | P.O.A. |
| 250 - 495 | P.O.A. |
| 500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
50 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.73мм
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
15 нКл при 10 В
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре