ON Semiconductor NTD5867NLT4G MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.22мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

6.73мм

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 10 В

Высота

2.38мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

Czech Republic