ON Semiconductor NTD3055L104-1G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
104 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,4 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 4 134,75
тг 165,39 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 4 134,75
тг 165,39 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 25 | тг 165,39 | тг 4 134,75 |
| 50 - 100 | тг 147,51 | тг 3 687,75 |
| 125 - 475 | тг 125,16 | тг 3 129,00 |
| 500 - 975 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
| 1000+ | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12 A
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
IPAK
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
104 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-15 В, +15 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs
7,4 нКл при 5 В
Ширина
6.22мм
Материал транзистора
Кремний
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
2.38мм
Информация о товаре